干货分享|芯片产业专业术语及图文解析
发布时间：2024-04-22 10:00:24
制造
TAPEOUT（TO）：流片，指提交最终GDSII文件给Foundry工厂做加工。
FULL MASK：全掩膜，即制造流程中的全部掩膜都为某个设计服务。
MPW（Multi Project Wafer）：多项目晶圆，即多个项目共享某个晶圆，也即同一次制造流程可以承担多个IC设计的制造任务。
MPW就是和别的厂家共享一张掩模版，而FULL MASK则是独享一张掩膜版。如果芯片风险比较高，则可以先做MPW，测试没有问题，再做FULL MASK。
Foundry：晶圆厂，专门从事芯片制造的厂家，对应的就是fabless，就是设计厂家，就是没有晶圆厂。
Wafer：晶圆。
Die：晶圆切割后，单个芯片的晶圆，这个需要加上封装好的外壳才能能变成芯片。
Chip：最后封装后的芯片。
Bump：凸点，在wafer表面长出凸点（金，锡铅，无铅等等），多用于倒装工艺封装上，也就是flipchip。
Mask：掩膜，在硅片上选定的区域中对一个不透明的图形模板遮盖，继而下面的腐蚀或扩散将只影响选定的区域以外的区域。
Chamber：真空室/反应室，专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。
Dicing Wafer：晶圆划片，晶圆切割。
CVD（Chemical Vapor Deposition）：化学气相沉积，是一种被广泛应用于材料制备领域的先进技术，利用高温和低压环境将气体或气体混合物中的化学物质转化为固体材料。
PVD（Physical Vapor Deposition）：物理气相沉积，通过离子等离子技术在基材表面附着另一种材料的方法。是喷射、蒸发等的总称。
CMP（Chemical-Mechincal Polish）：化学机械抛光，利用在表面布满研磨颗粒的研磨垫（polishingpad），对凸凹不平的晶体表面，藉由化学助剂（reagent）的辅助，以化学反应和机械式研磨等双重的加工动作，来进行其表面平坦化的处理。
CDA（Clean Dry Air）：压缩干燥空气，通常指压力在60到110 psi之间的空气，经过净化和干燥处理。作为气动元件的气体源。
Diffusion：扩散，在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源，以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。
DI Water：去离子水，自来水或地下水中，含有大量的细菌，金属离子及Particle，必须用设备将之杀菌过滤和纯化后，再把金属离子等杂质去除，所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造使用。
Dopant：掺杂，在原本的半导体材料里，主动植入或通过扩散的方法将其它的原子或离子掺入进去，达到改变其电性能的方法。
Dummy Wafer：挡片，对制程起一定辅助作用的硅片，区别于产品。一般对其质量要求不是很高。
设计
Fabless: 是Fabrication（制造）和less（无、没有）的组合，是指“没有制造业务、只专注于设计”的集成电路设计的一种运作模式，也用来指代未拥有芯片制造工厂的IC设计公司。
RTL（Register-Transfer Level）：是用于描述同步数字电路的硬件描述语言。
SDC（Synopsys Design Chip）：设计提供约束文件，综合工具需要这个约束文件才能将RTL转换成netlist。SDC主要描述内容包括：芯片工作频率，芯片IO时序，设计规则，特殊路径，不用check的路径等等。
Verification：芯片功能验证，主要指芯片验证方法论，验证RTL和reference model是不是一致。
Simulation：仿真, 仿真通常是生成波形，一般来说，芯片的功能，verification ，芯片的功耗，可以simulation，比较直观反映真实的场景。
IP（Intellectuall Property）：知识产权，设计资产、已经设计完成的功能电路模块(内核、单元)
Design Rule：设计规范，由于半导体制程技术，系一门专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法(RECIPE)的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善、成功地制造出来时，须有一套规范来做有关技术上的规定，此即"DesignRule"，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力，各项相关电性参数规格来制定。
测试
CP（Chip Probing）：直接对晶圆进行测试，测试对象是针对整片wafer中的每一个Die，目的是确保整片wafer中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证。
FT（FinalTest）：是芯片出厂前的最后一道拦截。测试对象是针对封装好的chip，CP测试之后会进行封装，封装之后进行FT测试。可以用来检测封装厂的工艺水平。
CP针对晶圆，如果坏的Die就不用再去做封装了，省下封装的费用和基板的费用。CP测试完毕后，在封装过程中还会引入芯片失效，所以还需要做FT来将失效的芯片去掉。
Yield：良率，芯片的良率这个和工艺比较相关，芯片有一定几率失效，芯片越大，失效机率也越大。
IP（Intellectual Property）：指在集成电路设计中，经过验证的、可重复使用且具备特定功能的集成电路的完整的功能模块，IP按收费方式分类可分为License和Loyalty。IP这个是构成芯片最核心的组成单元，例如USB，PCIE，CPU等等都是IP，整个芯片都是IP集成的，芯片能够做的比较复杂，核心就是IP的复用。例如那些做成几千万门，几亿门的，都是IP复用才能可以的。
DUV (Deep Ultraviolet Rays) ：深紫外线
EUV (Extreme Ultraviolet Rays ) ：极紫外线
封装
BGA（Ball Grid Array）：表面安装封装的一种,在芯片搭载基板上设置多个连接用焊接球(球式栅格阵列)。
ASIC（Application Specific Integrated Circuit）：应用型专用集成电路，ASIC是一种专用芯片，是为了某种特定的需求而专门定制的芯片的统称。比如专用的音频、视频处理器，同时目前很多专用的AI芯片业可以看作是ASIC的一种。
Wirebonding：打线也叫Wire Bonding(压焊，也称为绑定，键合，丝焊)是指使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或超声能源，完成固态电路内部接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接。
Die bound：芯片键合
Flipchip：倒装芯片，是在I/Opad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合。
COB（chip－on－board）：板上芯片封装，是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在PCB上，然后进行引线键合实现其电气连接，并用胶把芯片和键合引线包封。
SOC（System On Chip）：片上系统，就是把CPU，总线，外设，等等放到一个芯片内部实现。例如手机处理器就是一个复杂的SOC芯片。
SIP (System In Package）：系统级封装，SiP封装是将不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存储器等集成在一个封装体内，从而实现一整个芯片系统。
SOP（Small Outline Package）：将引线拉向两个方向的IC封装的一种小外型封装。
DAF（Die Attach Film)：晶片黏结薄膜键合工艺。
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）：互补型金属氧化物半导体。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术，或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。
